申请号：CN202411161931.X

专利名称：一种无惰性气氛保护的碳化硅多孔材料生长装置和生长方法

发明人：张和平; 闫明远; 程旭东; 潘月磊

专利类型：发明专利

摘要：

本发明提供了一种无惰性气氛保护的碳化硅多孔材料生长装置和生长方法。本发明的生长装置包括气相控制室和设置于气相控制室腔体内部的碳化硅生长室；所述气相控制室包括腔体和设置于腔体顶部的隔绝盖；所述碳化硅生长室包括生长容器和设置于生长容器顶部的开孔基板。本发明装置实现了无惰性气氛保护下碳化硅多孔隔热材料的生长，整个制备流程简单、设备要求低，在普通的马弗炉中即可完成碳化硅生长，无需气压烧结炉等高端设备。