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一种有机改性二硫化钼纳米片的制备方法
文章来源:PSSS  作者:PSSS  发布时间:2018-01-30

申请号:CN201610224150.X
专利名称:一种有机改性二硫化钼纳米片的制备方法
发明人:胡伟兆;邢伟义;冯夏明;宋磊;胡源
专利类型:发明专利
摘要:
本发明公开了一种有机改性二硫化钼纳米片的制备方法,首先通过锂插层法制备出二硫化钼纳米片,然后利用三聚氰胺对二硫化钼纳米片表面进行非共价改性,最后引入三聚氰酸以原位超支化的方式将具有网状结构的三聚氰胺氰尿酸盐修饰在二硫化钼纳米片表面,从而获得有机改性二硫化钼纳米片。本发明提供的有机改性二硫化钼纳米片制备方法简单,成本低,表面改性剂含量高。制得的有机改性二硫化钼纳米片具有多功能性,如可作为新型固体润滑材料或具有协同作用的杂化阻燃剂等。此外,有机改性二硫化钼可改善二硫化钼纳米片在聚合物基体中的分散状态和相容性,有利于提高聚合物材料的综合性能。 

 
 
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