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一种有机改性二硫化钼纳米片层及其制备方法
文章来源:PSSS    作者:PSSS    发布时间:2014-12-24

申请号:CN201310187544
专利名称:一种有机改性二硫化钼纳米片层及其制备方法
发明人:胡源;周克清;桂宙;
专利类型:发明专利
摘要:

本发明公开了一种有机改性二硫化钼纳米片层的制备方法,其包括如下步骤:通过溶剂热法用插层剂对层状二硫化钼进行插层处理后离心、洗涤并干燥,得到插层二硫化钼;将插层二硫化钼水解,得到二硫化钼悬浮液;将有机改性剂加入二硫化钼悬浮液中,在25~90℃下反应3~10h,将得到的产物离心、洗涤并干燥,即获得有机改性二硫化钼纳米片层。本发明提供的有机改性二硫化钼纳米片层制备方法简单,成本低,制得的有机改性二硫化钼纳米片层的层间距大,能较好的分散在有机溶剂中且不易团聚,具有广阔的应用前景。

 
 
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